ということで、ひとまず基板内の改造作業としては、情報を掲載されている “情熱の真空管” サイトの “ネットで手に入れたレシーバー基板を実用レベルに改造する” のページを参考にさせていただき、自分的にもう少しこだわっておきたい部分をアレンジしてみた次第。
で、とりあえず最初は上の写真のように改造してみたものの、基板裏面のパターンを眺めていてちょっと GNDの引き回しに違和感を感じてしまった ので、追加調査をやってみるか・・・ というところ。 それと、テストで使っていたポタアンが意外と入力インピーダンスが低いようなので、出力のカップリングコンデンサも増強しないとね
現時点での改造内容だが、上の回路図の赤色部分のように手を入れてある状態。 それぞれの内容を簡単に説明しておくと、
- BTモジュール出力端子からのカップリングコンデンサ (おそらく 1uFの高誘電率セラコン) に PMLCAP (10uF 16V) を抱かせる。
- OPアンプのゲインが高すぎるので、帰還用とバイアス用の抵抗にそれぞれ 22KΩの抵抗を抱かせて調整する。
BTモジュールからの信号は差動入力で受けられているので、CMRRが低下しないよう、定石通りバイアス用の抵抗も同一の値になるようにしておく。 - 出力につながる機器のインピーダンスが低い場合にも低域の周波数特性に影響しないよう、カップリングコンデンサの容量を増強 (10uF 16Vの電解コン) しておく。
- 電源ラインに載っているノイズの影響を受けにくくするため、パスコンの容量を増強 (470uF 16Vの電解コン) しておく。
電源とGNDの引き回しを簡略化したものを図にするとこんな感じになるのだが、要は電源入力のところにある 470uF 35Vのでかい電解コン。 コレのマイナス端子が、あんまり良くないところに接続されているのを見つけてしまった。
基板のオモテ (=部品面) を見ている限りでは違和感は感じないのだが、ウラ面は何と三端子レギュレータ 78M09を通った先にある、リレーと出力端子の搭載されているブロックの直近に落とされている。 まぁ何と言いますか、三端子レギュレータでノイズを取り除いた先で、GNDにノイズを注入しているようなイメージが浮かびますwa
ここで NE5532Pの GNDと電源ピン (D” の位置) に電解コンを増量してノイズを低減したとしても、出力端子のGNDピンは GND経路の途中に接続されているので、共通インピーダンスによる影響が生じますな
ということで・・・ おそらくマイナス端子はウラ面のこの場所に接続されないよう、切り離しておくのが良さげな感じがする、と。 そして、電解コンを増量してノイズの低減を図りたい場合は、出力のGND端子が接続されている場所より電源に近い場所 (Dの位置) に入れるのがセオリーかと
ひとまずこんな感じでパターンをガリガリと削ってみたけど・・・ 後から考えると、この改造はスルーしても良かったかな。 元々ノイズが少ない電源に接続すれば良いワケで、基板の外に電解コンを増量しておけばそれでも良かったのかも・・・
ついでに基板のオモテ (=部品面) もパターンを追いかけておくか・・・ とばかり、電解コンとリレーを外してみたところ まぁこんな余計なことばっかりやってるから時間がかかるんだけど (爆;
コレも当然のことながら、要らん改造ですワなぁ
現実的なところをお話ししておくなら、おそらく電源入力のところにある 470uF 35Vのでかい電解コンは、“マイナス端子を基板のウラ面から外しておく” のが良い選択なんだろうね。 とりあえずここまで記させてもらって、この項目は終わりにしますかね。
はい、本日の改造作業はここまで。 ちょいと最近、寄り道が過ぎるところは反省が必要かな
ではでは、今日のところはひとまずこの辺で・・・
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